堆栈式cmos和cmos有什么区别
索尼自家生产的背照式CMOS就命名为Exmor R CMOS，这个命名主要是为了提升索尼产品的竞争力。可以说目前的主流产品都是采用本款产品，包括iphone5、三星GalaxyS 3、Note2以及LT26ii。虽然之前iphone 4是由OmniVision提供的，但是到了iphone4s就果断换为索尼供货了，而这也是从客观层面上，反应出索尼摄像头的先进性。
那么为何索尼的背照式CMOS镜头如何优异呢？这个还是要归功于前面提到的工艺问题，由于SOI晶圆有利于研磨打薄，越薄就越易于采光，采光能力出色，就可以得到更好的成像效果。其他厂商，如三星、OmniVision等，大部分使用的是普通硅晶圆（体硅晶圆）。厚度上，SOI晶圆可以做到体硅晶圆的1/30左右，成像效果优势可想而知。但是它的成本也要高出3-4倍，总体下来，索尼背照式CMOS的价格也并不低。
堆栈式CMOS(exmor RS CMOS)
而为了提高索尼自家产品的认知度，其也是为自家的背照式CMOS镜头起了名字，名字就是Exmor R CMOS，而这样的镜头在lt26i的发布上也是进行重点介绍。可以说索尼的exmor R CMOS奠基了良好的口碑，所以索尼也在谋划生产新一代的产品。而这个就是我们今天要重点介绍的堆栈式CMOS镜头，其英文学名为exmor RS CMOS,可以看到相比起来多了一个S(stack)，也就是stacked CMOS，当然你也可以把他理解为积层式CMOS镜头。
所以根据产品的特性来说，可以将堆栈式CMOS传感器看做背照式CMOS传感器的衍生产品。全新的传感器将之前的电路组件放置在了感光组件下方，直观的优点就是为设备内提供了更多的空间。从而在性能上得到提升的同时，也更加的微小化。所以堆栈式CMOS虽然来源于背照式CMOS，但是却高于背照式CMOS.
而由于目前只有索尼能生产堆栈式CMOS镜头，虽然索尼的下一代旗舰yuga将采用堆栈式CMOS镜头，但是由于该机型目前还没有发布，所以oppo find 5也是顺理成章的成为了全球第一款采用堆栈式CMOS镜头的机型。所以这一技术在手机镜头领域是拥有划时代意义的。
[create_time]2016-08-19 17:22:11[/create_time]2016-09-03 15:54:17[finished_time]1[reply_count]0[alue_good]雪V歌[uname]https://himg.bdimg.com/sys/portrait/item/public.1.fb0a71fc.JZ1u9unCCkqOIJEANl9gDw.jpg[avatar]知道合伙人数码行家[slogan]泉州兴瑞发公司2015-2017最佳优秀员工。[intro]107[view_count]
堆栈式CMOS什么意思?和背照式CMOS有何区别
而索尼自家生产的背照式CMOS就命名为Exmor R CMOS，这个命名主要是为了提升索尼产品的竞争力。可以说目前的主流产品都是采用本款产品，包括iphone5、三星GalaxyS 3、Note2以及LT26ii。虽然之前iphone 4是由OmniVision提供的，但是到了iphone4s就果断换为索尼供货了，而这也是从客观层面上，反应出索尼摄像头的先进性。 那么为何索尼的背照式CMOS镜头如何优异呢？这个还是要归功于前面提到的工艺问题，由于SOI晶圆有利于研磨打薄，越薄就越易于采光，采光能力出色，就可以得到更好的成像效果。其他厂商，如三星、OmniVision等，大部分使用的是普通硅晶圆（体硅晶圆）。厚度上，SOI晶圆可以做到体硅晶圆的1/30左右，成像效果优势可想而知。但是它的成本也要高出3-4倍，总体下来，索尼背照式CMOS的价格也并不低。堆栈式CMOS(exmor RS CMOS) 而为了提高索尼自家产品的认知度，其也是为自家的背照式CMOS镜头起了名字，名字就是Exmor R CMOS，而这样的镜头在lt26i的发布上也是进行重点介绍。可以说索尼的exmor R CMOS奠基了良好的口碑，所以索尼也在谋划生产新一代的产品。而这个就是我们今天要重点介绍的堆栈式CMOS镜头，其英文学名为exmor RS CMOS,可以看到相比起来多了一个S(stack)，也就是stacked CMOS，当然你也可以把他理解为积层式CMOS镜头。 所以根据产品的特性来说，可以将堆栈式CMOS传感器看做背照式CMOS传感器的衍生产品。全新的传感器将之前的电路组件放置在了感光组件下方，直观的优点就是为设备内提供了更多的空间。从而在性能上得到提升的同时，也更加的微小化。所以堆栈式CMOS虽然来源于背照式CMOS，但是却高于背照式CMOS. 而由于目前只有索尼能生产堆栈式CMOS镜头，虽然索尼的下一代旗舰yuga将采用堆栈式CMOS镜头，但是由于该机型目前还没有发布，所以oppo find 5也是顺理成章的成为了全球第一款采用堆栈式CMOS镜头的机型。所以这一技术在手机镜头领域是拥有划时代意义的。
[create_time]2016-06-10 02:10:09[/create_time]2013-09-03 15:22:39[finished_time]1[reply_count]16[alue_good]冰凝JRhf[uname]https://himg.bdimg.com/sys/portrait/item/wise.1.fe52ddb4.z4P0190B4isv3jiLviea6Q.jpg?time=3435&tieba_portrait_time=3435[avatar]TA获得超过154个赞[slogan]这个人很懒，什么都没留下![intro]5181[view_count]
背照式cmos与cmos有什么区别?
1、所谓背照式CMOS传感器就是将它掉转方向，让光线首先进入感光二极管，从而增大感光量，显著提高低光照条件下的拍摄效果。索尼的背照式CMOS传感器商品名称为Exmor R，首先在DV摄像机中得到应用。
2、CMOS特指电脑主板上的BIOS（基本输入输出芯片）
http://baike.baidu.com/view/3417636.htm
[create_time]2017-11-28 15:52:57[/create_time]2012-05-02 17:18:25[finished_time]2[reply_count]16[alue_good]binghongle[uname]https://himg.bdimg.com/sys/portrait/item/wise.1.5c413766.4JqD5-FHApuS0q76oEVtZQ.jpg?time=3033&tieba_portrait_time=3033[avatar]TA获得超过887个赞[slogan]这个人很懒，什么都没留下![intro]19291[view_count]
背照式cmos与cmos有什么区别?
1、所谓背照式CMOS传感器就是将它掉转方向，让光线首先进入感光二极管，从而增大感光量，显著提高低光照条件下的拍摄效果。索尼的背照式CMOS传感器商品名称为Exmor
R，首先在DV摄像机中得到应用。
2、CMOS特指电脑主板上的BIOS（基本输入输出芯片）
http://baike.baidu.com/view/3417636.htm
[create_time]2020-02-03 01:05:25[/create_time]2020-07-30 05:22:21[finished_time]1[reply_count]4[alue_good]招青芬不甲[uname]https://himg.bdimg.com/sys/portrait/item/wise.1.7f94422a.ICl2IhJCwBdTsqtvtnXSaQ.jpg?time=10649&tieba_portrait_time=10649[avatar]TA获得超过3.7万个赞[slogan]这个人很懒，什么都没留下![intro]323[view_count]
背照式cmos传感器和CMOS传感器有什么区别如题 谢谢了
传统的CMOS传感器每个像素点都要搭配一个对应的A/D转换器以及对应的放大电路，因此，这部分电路会占用更多的像素面积，直接导致光电二极管实际感光的面积变小，感光能力变弱。CCD的单个像素点不需要A/D转换器和放大电路，光电二极管能获得更大的实际感光面积，开口率更大，因此在小尺寸影像传感器领域，目前CCD仍占据一定优势，而在大尺寸影像传感器领域，由于单个像素点的面积大，A/D转换器和放大电路占用的面积只是整个像素的很小一部分，影响不大，因此CMOS传感器也得到了广泛的应用。 而背照式CMOS将光电二极管“放置”在了影像传感器芯片的最上层，把A/D转换器及放大电路挪到了影像传感器芯片的“背面”，而不是像传统CMOS传感器一样，A/D转换器和放大电路位于光电二极管的上层，“挡住了”一部分光线。这样一来，通过微透镜和色彩滤镜进来的光线就可以最大限度地被光电二极管利用，开口率得以大幅度提高，即便是小尺寸的影像传感器，也能获得优良的高感光度能力。 相比较之下，传统的表面照射型CMOS传感器的光电二极管位于整个芯片的最下层，而A/D转换器和放大电路位于光电二极管上层，因此光电二极管离透镜的距离更远，光线更容易损失。同时，这些线路连接层还会阻塞从色彩滤镜到达光电二极管的光路，因此直接导致实际能够感光更少。而背照式CMOS传感器解决了这样的问题。 过这两个优点并非被照式CMOS传感器特有，是当今新款的CMOS传感器普遍都能做到的，这就是为什么越来越多数码相机采用CMOS传感器了，毕竟大像素和高速的性能会直接影响最终消费者的选择。满意请采纳
[create_time]2014-04-25 19:32:54[/create_time]2014-04-28 02:57:50[finished_time]1[reply_count]2[alue_good]手机用户76851[uname]https://himg.bdimg.com/sys/portrait/item/wise.1.fa5f513b.MANYu9oyZp6R3rh8DM74Rg.jpg?time=3653&tieba_portrait_time=3653[avatar]超过62用户采纳过TA的回答[slogan]这个人很懒，什么都没留下![intro]393[view_count]
背照式cmos传感器的传感器
CCD传感器和CMOS传感器而现在普遍使用的两种图像传感器就是大家经常听说到的CMOS和CCD传感器了，为了让大家最终更好地认识背照式CMOS传感器，左边为CCD传感器的结构，右边的为CMOS传感器的机构，黄色的小方块为像素点。由图示可以看出，CCD传感器中每一行中每一个象素的电荷数据都会依次传送到下一个象素中，由最底端部分输出，再经由传感器边缘的放大器进行放大输出；而在CMOS传感器中，每个象素都会邻接一个放大器及A/D转换电路，用类似内存电路的方式将数据输出。简单说就是对待单个像素点上得到的电荷数据有不同方法，CCD是全部传输出来再统一处理，CMOS是先分别处理再传出来。这两种方式并不是人们凭空想象出来的，而是由CCD和CMOS的制作工艺决定的，因为CMOS器件内传输数据会有较高的失真，所以需要先做处理。正是由于两种传感器处理过程的不同，所以在早期，CMOS影像传感器在灵敏度、分辨率、噪声控制等方面都比CCD（电荷耦合装置，电荷耦合器件）要差，但优势在于具有低成本、低功耗、以及高整合度的特点，特别适合在像素数提升上有较多的文章可以做。因此，最近几年芯片级的厂家都放了非常多的精力在CMOS传感器上，以致现在CMOS传感器在市场终端产品上占据了非常高的份额，特别是在数码相机方面。
[create_time]2016-05-14 04:59:19[/create_time]2016-05-28 20:08:10[finished_time]1[reply_count]0[alue_good]热恋ysEV[uname]https://himg.bdimg.com/sys/portrait/item/wise.1.3dc8d236.weIe42mZV07a4fN38tFNWQ.jpg?time=3640&tieba_portrait_time=3640[avatar]TA获得超过139个赞[slogan]这个人很懒，什么都没留下![intro]17[view_count]前照式cmos和背照式cmos的区别
优点:拥有更高的宽容度（可以被理解为高光部分不容易溢出、而低光部分不容易欠曝）拥有更快的数据吞吐率（通常都支持高速连拍、甚至全高清视频拍摄）拥有更佳的低光照成像能力（高感光度下的成像表现大大优于传统产品）在传感器上的微透镜性能更为提升。缺点:不是说配备了了它的数码相机拍照就很牛。因为决定数码照片的画质除了核心部件传感器外，还有镜头以及处理算法等因素。传统CMOS都是前照式结构，如上图左边图片所示，其组成结构由上到下依次是：片上透镜、滤光片、金属排线（电路层）、光电二极管以及基板。背照式结构的CMOS最早出现于2008年，其基本组成与传统CMOS一样，只是排布顺序不一样。如上图右边图片所示，由上到下依次是：片上透镜、滤光片、光电二极管以及基板、金属排线（电路层）。前照式与背照式CMOS的区别很好理解，一种是电路层位于感光二极管前面，一种是电路层位于感光二极管后面。如上图所示，前照式CMOS的金属电路挡在受光面前面，这样会损失很多光线，真正能够被感光二极管接收和利用的光线只剩70%甚至更少。很显然，背照式CMOS极大提高了光线利用率，可以提高传感器灵敏度，最明显的改善就是低照度环境下成像质量更高。
[create_time]2022-12-12 14:26:32[/create_time]2022-12-10 00:00:01[finished_time]1[reply_count]0[alue_good]聊电子数码[uname]https://pic.rmb.bdstatic.com/bjh/user/f694ec6cb2308252c83b1baaff50173f.jpeg[avatar]电子数码相关我来和大家说一说[slogan]电子数码相关我来和大家说一说[intro]1394[view_count]背照式CMOS的优缺点是什么？
你好！ 与普通CCD传感器相比，背照式CMOS传感器通过向没有布线层的一面照射光线从而避免了金属线路和晶体管的阻碍。
更具体地说，它是将光电二极管“放置”在了影像传感器芯片的最上层，把A/D转换器及放大电路挪到了影像传感器芯片的“背面”，而不是像传统CMOS传感器一样，A/D转换器和放大电路位于光电二极管的上层“挡住了”一部分光线。
如此一来，通过微透镜和色彩滤镜进来的光线就可以最大限度地被光电二极管利用，开口率得以大幅度提高（提高近100%），即便是小尺寸的影像传感器，也能获得优良的高感光度能力。 与以往1.75μm像素间隔的传统传感器相比，背照式CMOS
传感器在灵敏度（S/N）上具有很大优势，感光能力号称是过去同尺寸传感器的两倍。 正是由于背照式CMOS传感器的这些优势，搭载了此款产品的数码相机通常具有以下优势：
1：拥有更高的宽容度（可以被理解为高光部分不容易溢出、而低光部分不容易欠曝）
2：拥有更快的数据吞吐率（通常都支持高速连拍、甚至全高清视频拍摄）
3：拥有更佳的低光照成像能力（高感光度下的成像表现大大优于传统产品） 所以，背照式CMOS就当前在数码相机行业来说，已经足以被当作是“高画质”的代名词了。
[create_time]2013-05-10 15:47:47[/create_time]2013-05-25 14:53:23[finished_time]2[reply_count]7[alue_good]匿名用户[uname]https://iknow-base.cdn.bcebos.com/yt/bdsp/icon/anonymous.png?x-bce-process=image/quality,q_80[avatar][slogan]这个人很懒，什么都没留下![intro]2678[view_count]
ccd和cmos区别和优点
ccd和cmos区别：1、灵敏度差异：由于CMOS传感器的每个像素由四个晶体管与一个感光二极管构成(含放大器与A/D转换电路)，使得每个像素的感光区域远小于像素本身的表面积，因此在像素尺寸相同的情况下，CMOS传感器的灵敏度要低于CCD传感器。2、成本差异：由于CMOS传感器采用一般半导体电路最常用的CMOS工艺，可以轻易地将周边电路(如AGC、CDS、Timing generator、或DSP等)集成到传感器芯片中，因此可以节省外围芯片的成本。除此之外，由于CCD采用电荷传递的方式传送数据，只要其中有一个像素不能运行，就会导致一整排的数据不能传送，因此控制CCD传感器的成品率比CMOS传感器困难许多，即使有经验的厂商也很难在产品问世的半年内突破 50%的水平，因此，CCD传感器的成本会高于CMOS传感器。3、分辨率差异：如上所述，CMOS传感器的每个像素都比CCD传感器复杂，其像素尺寸很难达到CCD传感器的水平，因此，当我们比较相同尺寸的CCD与CMOS传感器时，CCD传感器的分辨率通常会优于CMOS传感器的水平。例如，目前市面上CMOS传感器最高可达到210万像素的水平(OmniVision的 OV2610，2002年6月推出)，其尺寸为1/2英寸，像素尺寸为4.25μm，但Sony在2002年12月推出了ICX452，其尺寸与 OV2610相差不多(1/1.8英寸)，但分辨率却能高达513万像素，像素尺寸也只有2.78mm的水平。4、噪声差异：由于CMOS传感器的每个感光二极管都需搭配一个放大器，而放大器属于模拟电路，很难让每个放大器所得到的结果保持一致，因此与只有一个放大器放在芯片边缘的CCD传感器相比，CMOS传感器的噪声就会增加很多，影响图像品质。5、功耗差异：CMOS传感器的图像采集方式为主动式，感光二极管所产生的电荷会直接由晶体管放大输出，但CCD传感器为被动式采集，需外加电压让每个象素中的电荷移动，而此外加电压通常需要达到12~18V。因此，CCD传感器除了在电源管理电路设计上的难度更高之外(需外加 Power IC)，高驱动电压更使其功耗远高于CMOS传感器的水平。举例来说，OmniVision近期推出的OV7640(1/4英寸、VGA)，在 30 fps的速度下运行，功耗仅为40mW。而致力于低功耗CCD传感器的Sanyo公司去年推出了1/7英寸、CIF等级的产品，其功耗却仍保持在90mW 以上，虽然该公司近期将推出35mW的新产品，但仍与CMOS传感器存在差距，且仍处于样品阶段。CCD与CMOS图像传感器各自的特点：CCD图像传感器作为摄像器件，与摄像管相比，具有有体积小、重量轻、功耗小、寿命长、工作电压低、灵敏度高、分辨率高、动态范围宽、光敏元的几何精度高、光谱响应范围宽、抗震性和抗冲击性好、不受电磁场干扰等一系列优点。与CCD相比，CMOS具有体积小、耗电量低、售价较低的优点。与CCD产品相比，CMOS是标准工艺制程，可利用现有的半导体设备，不需额外的投资设备，且品质可随着半导体技术的提升而进步。值得注意的是，全球晶圆厂的CMOS生产线较多，量产时也有利于成本的降低。
[create_time]2022-09-13 19:04:54[/create_time]2022-09-23 00:00:00[finished_time]3[reply_count]1[alue_good]欣欣夜话[uname]https://gips0.baidu.com/it/u=1599435761,1724197967&fm=3012&app=3012&autime=1691802686&size=b200,200[avatar]TA获得超过892个赞[slogan]专注电子数码领域，为您解答相关难题[intro]3615[view_count]ccd和cmos的优缺点对比？
CCD与CMOS传感器是当前被普遍采用的两种图像传感器，两者都是利用感光二极管进行光电转换，将图像转换为数字数据，而其主要差异是数字数据传送的方式不同。一般而言普通的数码相机中使用CCD芯片的成像质量要好一些。CCD优缺点：功耗小，工作电压低；抗冲击与震动，性能稳定，寿命长；灵敏度高，噪声低，动态范围大；响应速度快，有自扫描功能，图像畸变小，无残像；应用超大规模集成电路工艺技术生产，像素集成度高，尺寸精确，商品化生产成本低。CMOS优缺点：传感器的灵敏度，噪声和暗电流性能远远低于CCD传感器。CMOS传感器不需要复杂的外部时钟驱动器电子器件，可产生精确的电压和波形，以在传感器周围移动电荷。它们不需要复杂的外部读出电子器件，双相关采样器和A/D转换器。读出所需的所有电子元件都内置于传感器中。单芯片只需要干净的电源即可提供良好的图像，并可直接以数字方式读出。这就是CMOS传感器在成本方面具有很大优势的原因。器件简介CCD传感器又叫电荷耦合器，它是一种特殊的半导体材料，由大量独立的感光二极管组成，一般按照矩阵形式排列。目前，CCD的种类有很多，其中面阵型CCD是主要应用在数码相机中。它是由许多单个感光二极管组成的阵列，整体呈正方形，然后像砌砖一样将这些感光二极管砌成阵列来组成可以输出一定解析度图像的CCD传感器。从功能上来说，CCD感光元件在某种程度的相当于传统相机的胶卷。从消费者选择的角度来说，CCD感光元件当然是越大越好。以上内容参考：百度百科-CCD感光元件
[create_time]2022-07-28 17:43:50[/create_time]2022-08-12 17:43:50[finished_time]1[reply_count]0[alue_good]IT168[uname]https://pic.rmb.bdstatic.com/bjh/user/daad1d6d0d4f2f024409c92cde0b1d52.jpeg[avatar]百度认证:IT168官方账号,优质数码领域创作者[slogan]IT168是中国最大的个人和企业IT产品选购、互动网站,每日提供最新的IT产品报价、促销行情、手机、平板、笔记本、相机和企业等50个频道提供最专业的产品选购和使用建议。[intro]4879[view_count]什么是背照式摄像头
背照式cmos传感器
在传统CMOS感光元件中，感光二极管位于电路晶体管后方，进光量会因遮挡受到影响。所谓背照式CMOS就是将它掉转方向，让光线首先进入感光二极管，从而增大感光量，显著提高低光照条件下的拍摄效果。索尼的背照式CMOS传感器商品名称为Exmor R，首先在DV摄像机中得到应用。 Exmor R CMOS背面照明技术感光元件，改善了传统CMOS感光元件的感光度。Exmor R CMOS采用了和普通方法相反、向没有布线层的一面照射光线的背面照射技术，由于不受金属线路和晶体管的阻碍，开口率（光电转换部分在一个像素中所占的面积比例）可提高至近100%。与其以往1.75μm间隔的表面照射产品相比，背面照射产品在灵敏度（S/N）上具有很大优势。
编辑本段Exmor R CMOS的优势
传统的CMOS传感器每个像素点都要搭配一个对应的A/D转换器以及对应的放大电路，因此，这部分电路会占用更多的像素面积，直接导致光电二极管实际感光的面积变小，感光能力变弱。CCD的单个像素点不需要A/D转换器和放大电路，光电二极管能获得更大的实际感光面积，开口率更大，因此在小尺寸影像传感器领域，目前CCD仍占据一定优势，而在大尺寸影像传感器领域，由于单个像素点的面积大，A/D转换器和放大电路占用的面积只是整个像素的很小一部分，影响不大，因此CMOS传感器也得到了广泛的应用。 而Exmor R CMOS将光电二极管“放置”在了影像传感器芯片的最上层，把A/D转换器及放大电路挪到了影像传感器芯片的“背面”，而不是像传统CMOS传感器一样，A/D转换器和放大电路位于光电二极管的上层，“挡住了”一部分光线。这样一来，通过微透镜和色彩滤镜进来的光线就可以最大限度地被光电二极管利用，开口率得以大幅度提高，即便是小尺寸的影像传感器，也能获得优良的高感光度能力。 相比较之下，传统的表面照射型CMOS传感器的光电二极管位于整个芯片的最下层，而A/D转换器和放大电路位于光电二极管上层，因此光电二极管离透镜的距离更远，光线更容易损失。同时，这些线路连接层还会阻塞从色彩滤镜到达光电二极管的光路，因此直接导致实际能够感光更少。而Exmor R背照式CMOS传感器解决了这样的问题。
[create_time]2016-02-17 08:57:42[/create_time]2010-12-12 16:06:14[finished_time]1[reply_count]11[alue_good]p511yingying[uname]https://himg.bdimg.com/sys/portrait/item/wise.1.2629a5a8.L1uDYkABv6f711Nhh0FxxQ.jpg?time=2812&tieba_portrait_time=2812[avatar][slogan]这个人很懒，什么都没留下![intro]1875[view_count]
背照式摄像头是什么
�泄饽芰Ρ淙酢�CD的单个像素点不需要A/D转换器和放大电路，光电二极管能获得更大的实际感光面积，开口率更大，因此在小尺寸影像传感器领域，目前CCD仍占据一定优势，而在大尺寸影像传感器领域，由于单个像素点的面积大，A/D转换器和放大电路占用的面积只是整个像素的很小一部分，影响不大，因此摄像头传感器也得到了广泛的应用。 相比较之下，传统的表面照射型摄像头传感器的光电二极管位于整个芯片的最下层，而A/D转换器和放大电路位于光电二极管上层，因此光电二极管离透镜的距离更远，光线更容易损失。同时，这些线路连接层还会阻塞从色彩滤镜到达光电二极管的光路，因此直接导致实际能够感光更少。而背照式摄像头传感器解决了这样的问题。背照式摄像头的优势 传统的CMOS传感器每个像素点都要搭配一个对应的A/D转换器以及对应的放大电路，因此，这部分电路会占用更多的像素面积，直接导致光电二极管实际感光的面积变小，感光能力变弱。CCD的单个像素点不需要A/D转换器和放大电路，光电二极管能获得更大的实际感光面积，开口率更大，因此在小尺寸影像传感器领域，目前CCD仍占据一定优势，而在大尺寸影像传感器领域，由于单个像素点的面积大，A/D转换器和放大电路占用的面积只是整个像素的很小一部分，影响不大，因此CMOS传感器也得到了广泛的应用。 而Exmor R CMOS将光电二极管放置在了影像传感器芯片的最上层，把A/D转换器及放大电路挪到了影像传感器芯片的背面，而不是像传统CMOS传感器一样，A/D转换器和放大电路位于光电二极管的上层，挡住了一部分光线。这样一来，通过微透镜和色彩滤镜进来的光线就可以最大限度地被光电二极管利用，开口率得以大幅度提高，即便是小尺寸的影像传感器，也能获得优良的高感光度能力。 相比较之下，传统的表面照射型CMOS传感器的光电二极管位于整个芯片的最下层，而A/D转换器和放大电路位于光电二极管上层，因此光电二极管离透镜的距离更远，光线更容易损失。同时，这些线路连接层还会阻塞从色彩滤镜到达光电二极管的光路，因此直接导致实际能够感光更少。
[create_time]2013-10-14 16:20:06[/create_time]2013-10-15 03:53:16[finished_time]1[reply_count]0[alue_good]是我太任性x披[uname]https://himg.bdimg.com/sys/portrait/item/wise.1.2e5fad43.GxdYLDmTSoD_gWzMNq1qLA.jpg?time=3708&tieba_portrait_time=3708[avatar]TA获得超过4402个赞[slogan]这个人很懒，什么都没留下![intro]220[view_count]
背照式cmos传感器的简介
在传统CMOS感光元件中，感光二极管位于电路晶体管后方，进光量会因遮挡受到影响。所谓背照式CMOS就是将它掉转方向，让光线首先进入感光二极管，从而增大感光量，显著提高低光照条件下的拍摄效果。索尼的背照式CMOS传感器商品名称为Exmor R，首先在DV摄像机中得到应用。Exmor R CMOS背面照明技术感光元件，改善了传统CMOS感光元件的感光度。Exmor R CMOS采用了和普通方法相反、向没有布线层的一面照射光线的背面照射技术，由于不受金属线路和晶体管的阻碍，开口率（光电转换部分在一个像素中所占的面积比例）可提高至近100%。与其以往1.75μm间隔的表面照射产品相比，背面照射产品在灵敏度（S/N）上具有很大优势。
[create_time]2016-05-14 04:45:03[/create_time]2016-05-28 19:52:52[finished_time]1[reply_count]0[alue_good]律关方408[uname]https://himg.bdimg.com/sys/portrait/item/wise.1.12ce9ccc.kOH9C3ZSHPfxA1GWi6hbjQ.jpg?time=8999&tieba_portrait_time=8999[avatar]超过63用户采纳过TA的回答[slogan]这个人很懒，什么都没留下![intro]14[view_count]
